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SiC를 기반으로 하는 인피니언의 CoolSiC MOSFET은 손실이 작게 발생하는 고효율용 인버터 소자입니다. SiC MOSFET은 1200V와 같은 고전압 대에서 고속 스위칭이 가능합니다. IGBT보다 스위칭 손실이 낮으므로 높은 스위칭 주파수를 사용할 수 있습니다. SiC 소자의 가격이 Si 소자보다 비싸긴 하지만, 시스템 주파수가 올라가면 리액터 등 다른 아날로그 소자의 크기를 줄일 수 있어 시스템 전체적으로 볼 때 오히려 비용을 더욱 절약할 수 있습니다. Q. A. 일반적으로 15V, 0V를 사용하는 방법 이외에도 –15V에서 -8V, 혹은 더 큰 전압을 사용할 수도 있는데, SiC MOSFET은 네거티브 전압을 크게 사용하면 문턱전압이 시프트되는 이슈가 있습니다. 이는 인피니언 소자뿐만 아니라 모든 SiC MOSFET이 공통으로 가지고 있는 이슈입니다. Q. Igbt negative temperature coefficient.Executar Inspirar Lampejo Batismo Retribuição. Sempre tente iniciar lutas usando Asas da Fé para pegar seus inimigos fora de posição.
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