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大功率 IGBT 驱动与保护 技术 是指针对大功率 IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）器件的驱动和保护方面的 技术 。 IGBT 是一种常用的功率半导体器件，广泛 应用 于电力电子设备和高效率的变频调速系统中。 大功率 IGBT 驱动 技术 主要包括以下几个方面： 1. 功率级匹配：根据电路中的功率需求，选取合适的 IGBT 型号和参数，以确保 IGBT 能够承受所需的功率。 2. 驱动信号设计：设计合理的驱动信号，保证 IGBT 的控制电压和电流能够准确、稳定地驱动 IGBT ，从而实现控制 IGBT 开关状态的目的。 3. 驱动电路设计：设计专门的驱动电路，将控制信号与高压高电流的 IGBT 电源隔离，以保证驱动信号的可靠性和稳定性。 4. 过压保护：监测 IGBT 的输入电压，当电压超过预设范围时，立即切断驱动信号，保护 IGBT 不受高电压的影响。 2. 过流保护：监测 IGBT 的输出电流，当电流超过额定值时，立即切断驱动信号，保护 IGBT 免受过大电流的损害。 3. 过温保护：监测 IGBT 的温度，当温度超过临界值时，及时降低功率或切断驱动信号，防止 IGBT 因过热而损坏。 4. 短路保护：检测 IGBT 输入和输出之间是否存在短路，一旦发现短路情况，立即切断驱动信号，避免 IGBT 烧毁。 综上所述，大功率 IGBT 驱动与保护 技术 是为了确保 IGBT 在高功率工作条件下的稳定运行和可靠性保证而采取的一系列 技术 手段。 일반적으로 쓰이는 n-channel MOSFET에 P형 주입층이 더해져 캐리어를 형성하도록 해서 만드는데, 실제 제조 과정은 복잡하다. 다만, IGBT가 불리한 부분도 있는데, 일단 P형 주입층 덕분에 캐리어가 많이 들어가게 되고, 절연된 게이트는 충전용량을 가지기 때문에 턴-온 시간은 몰라도 턴-오프 시키는 데 일반적인 스위칭 기법(즉, 게이트 전압이 0에서 문턱 전압(Threshold)을 왔다갔다 하는)으로는 kHz 이상의 속도를 내기 힘들다. 그래서 전용 드라이버 IC도 있으며, IGBT의 구동단은 트랜스를 이용해 절연할 뿐만 아니라, 구동 전압 역시 게이트 전압이 ±15V로 움직여야 해서 복잡하다. Oque é aposta online.EU ban on Russian gas ‘unlikely’ – Brussels Belgian Energy Minister Tinne Van der Straeten calls to curb Russian gas imports, but admits that a full ban is not likely to be agreed upon.
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