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Copyright © 2021 by the authors. The temperature management strategy of an insulated gate bipolar transistor (IGBT), which is the power module of an inverter, has become an important issue with the increasing development of inverters for driving traction motors in electric vehicle application. Generally, current IGBTs are limited by the junction temperature, and the possibility of failure due to overheating tends to greatly increase unless the junction temperature is properly managed [1,2,3]. Recently, there have been numerous studies on methods for measuring the temperature of the IGBT indirectly by configuring the hardware to manage the junction temperature of the IGBT. One method measures temperature by attaching a negative temperature coefficient thermistor (NTC) near the junction. Most of the packaging modules provide a built-in NTC, but there is thermal resistance and thermal capacitance due to the physical separation distance, resulting in a difference from the junction temperature. Porta-treco de sacola de casa de apostas online que aceitam cartao papel. Another method indirectly measures the junction temperature by monitoring the collector-emitter voltage during the on-state of the IGBT (i.e., the saturation voltage of IGBT). Another example is Mitsubishi’s J1 series. Betwinner withdrawal.Com uma gama muito ampla de modos, também nos traz probabilidades aprimoradas, multiplicadores aprimorados e muito mais.
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Em ambos os casos a estrutura de célula de um IGBT típico é formada do lado frontal. OS IGBTs são componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequência, inversores, etc. Esta proteção é feita com o uso de diodos. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente da carga, a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo ou Irr. O máximo da corrente Irr ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo igualam a tensão de alimentação, de acordo com exemplo no gráfico da figura abaixo. Este pico de tensão é responsável por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a condução de dois dispositivos semelhantes quando usados numa configuração de meia-ponte. O Efeito Miller nada mais é do que a realimentação da tensão coletor-emissor (Vce) através da capacitância existente entre a comporta e o coletor do dispositivo (Cgc). ig = Cgc(Vce) x dVce/dt. Em consequência disso temos explicações para alguns comportamentos do IGBT: Mais tarde, quando a tensão entre o coletor e o emissor cai, Cgc aumenta de valor de tal forma que, uma pequena variação de Vce é suficiente para levar a um aumento da corrente de comporta. Somente quando a corrente necessária à carga se reduz novamente é que a tensão de comporta aumenta. Este comportamento pode ser observado pelo gráfico da figura abaixo. b) Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, Vge positiva ou maior que a tensão limiar - Vth) - a tensão de comporta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). A diminuição da capacitância com o aumento da carga aumenta a tensão.
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